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图2第一性原理计算(DOS)a-b)DOS沿传输方向投射到石墨烯CS-FET上,功率用于a)开态和b)关态器件。系统【图文简介】图1石墨烯CS-FET模型a)n型InSe基石墨烯CS-FET的侧视图。
等效氧化物厚度(EOT=0.54nm)、完成栅极长度(L=7.8nm)和电源电压(VSD=0.74V)根据2021国际半导体技术路线图(ITRS)对高性能晶体管进行参数化。然而,默拉由于不可避免的化学无序和缺陷诱导的带隙态,默拉传统的金属:半导体(MS)界面通常遭受强费米尔钉扎,从而限制了栅的可调控性【研究简介】近日,清华大学精密仪器系李黄龙副教授(通讯作者)及其博士后吕娟(第一作者)在Adv.Mater.上发表了一篇题目为ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors的研究成果。
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