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研究还发现电子束辐照在降低器件沟道电导的同时,会引起极小电导值的漂移，礼校丽明且转移特性曲线在几十分钟之后可以恢复到接近初始状态（图d）。二维半导体材料因为具有原子尺寸，长樊可以克服短沟道效应和实现高性能场效应晶体管，有望成为后摩尔时代一类重要的基础电子材料。合作团队首先制备了PdSe2场效应晶体管器件（图a），学第学举行2学典在转移特性曲线中观察到回滞现象（图b），学第学举行2学典通过仔细分析回滞窗口的宽度与栅压范围以及栅压扫描时间的变化关系（图c），指出这种回滞现象有可能来源于PdSe2或二氧化硅相关的慢缺陷态。

基于PdSe2的场效应晶体管展现出双极性导电行为，山生开而且其转移特性曲线通常会伴随回滞现象，山生开对此现象的深入理解与有效调控对实现器件的高可靠性与实际应用至关重要。本科(c)不同扫描栅压范围下的转移特性曲线;(d)电子束辐照对于器件性能的影响及随时间的恢复过程;(e)压强可调的回滞窗口及不同掺杂类型之间的转换。

礼校丽明图(a)PdSe2晶格结构及场效应晶体管SEM图;(b)不同偏压下转移特性曲线图。

最近发现的半导体型过渡金属硫族化合物二硒化钯（PdSe2）具有较高的室温载流子迁移率和良好的稳定性，长樊有望用于发展未来的电子器件应用。举例来说，学第学举行2学典AlphaGo通过神经网络学习了大概20万个高水平围棋棋谱，从而获得了在盘面上如何落子的直觉。

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